[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18a-Z24-9] Band diagrams and low temperature transport properties of InAs_xSb_1-x/Al_yIn_1-ySb quantum wells

〇Takashi Manago¹, Kenji Kasahara¹, Ichiro Sibasaki² (1.Fukuoka Univ., 2.The Noguchi Inst.)

Keywords:quantum well, InSb, magnetic sensor

InSb系の薄膜は、高感度ホール素子などの磁気センサ材料として欠かせない。これまでにInAs_0.1Sb_0.9/Al_0.1In_0.9Sb量子井戸において、抵抗の温度変化が劇的に抑制され、極低温においても高移動度を保つことができることを報告した。このため、InAs_xSb_1-x/Al_yIn_1-ySbのバンドダイアグラムについて広範囲な組成の組み合わせを調べ、狭ギャップ半導体応用に最適な組成を検討した。磁気センサ等の電子デバイスに最適な組成組み合わせは、x = 0.4 - 0.6 (対応するy範囲はy = 0.5 - 0.7)であることが分かった。