[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-9] InAs_xSb_1-x/Al_yIn_1-ySb量子井戸のバンド構造と極低温電子輸送特性

〇眞砂 卓史¹、笠原 健司¹、柴﨑 一郎² (1.福大理、2.野口研)

キーワード：量子井戸、InSb、磁気センサ

InSb系の薄膜は、高感度ホール素子などの磁気センサ材料として欠かせない。これまでにInAs_0.1Sb_0.9/Al_0.1In_0.9Sb量子井戸において、抵抗の温度変化が劇的に抑制され、極低温においても高移動度を保つことができることを報告した。このため、InAs_xSb_1-x/Al_yIn_1-ySbのバンドダイアグラムについて広範囲な組成の組み合わせを調べ、狭ギャップ半導体応用に最適な組成を検討した。磁気センサ等の電子デバイスに最適な組成組み合わせは、x = 0.4 - 0.6 (対応するy範囲はy = 0.5 - 0.7)であることが分かった。