[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18a-Z27-2] Preparation of GaN-based LEDs on a multi-crystalline Si substrate and white-light emission

〇Sinngo Taniguchi¹, Houyao Xue¹, Sora Saito¹, Tsubasa Saito¹, Yuichi Sato¹ (1.Akita Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor, polycrystalline substrate, light emitting diode

低コスト太陽電池の形成に広く用いられているキャスト法によって作成された多結晶Siを基板として，GaN系ナノ柱状結晶によるダブルヘテロ（DH）型発光ダイオードを形成し，青色成分の少ない白色発光が得られた。多結晶基板上であっても，高輝度発光が得やすい構造のLEDを形成でき，今後，これまでに実現されていない大面積型のマイクロ LED ディスプレイやGaN系半導体による面型照明デバイスなどの実現の可能性を示した。