[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-Z27-2] 多結晶Si基板上へのGaN系LEDの形成と白色発光

〇谷口 真悟¹、薛 後耀¹、齋藤 宇¹、齋藤 翼¹、佐藤 祐一¹ (1.秋田大院理工)

キーワード：窒化物半導体、多結晶基板、発光ダイオード

低コスト太陽電池の形成に広く用いられているキャスト法によって作成された多結晶Siを基板として，GaN系ナノ柱状結晶によるダブルヘテロ（DH）型発光ダイオードを形成し，青色成分の少ない白色発光が得られた。多結晶基板上であっても，高輝度発光が得やすい構造のLEDを形成でき，今後，これまでに実現されていない大面積型のマイクロ LED ディスプレイやGaN系半導体による面型照明デバイスなどの実現の可能性を示した。