[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-Z27-3] GaNテンプレート基板のためのSi基板上無極性面AlN結晶成長の作製条件の検討

〇森田 雅也^1,2、石橋 啓二³、高橋 健一郎³、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,4、長田 貴弘² (1.明治大理工、2.物材機構、3.株式会社コメット、4.明大MREL)

キーワード：スパッタリング、X線回折法、窒化アルミニウム

スパッタ法によるMnSバッファー層を用いたSi上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、無極性AlNの検討を行っている。既に、低温AlN層をMnSの上に成長させることでMnS層表面窒化を防ぎ、Si上に無極性面AlNの結晶化を実現できた。本研究ではさらなるAlNの結晶性向上を目的とし、低温AlN層作製条件の検討を行った結果を報告する。