[18a-Z29-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-Z29-8] Cat-CVD装置を用いたTNPCon構造の水素化処理

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：触媒化学気相成長法、水素化処理、パッシベーション

Cat-CVD装置で生成する水素ラジカル(Cat-H)によってtunnel nitride passivation contacts (TNPCon)のパッシベーション性能を向上させる検討を行った。200 °C程度の低い基板温度でも、Cat-H処理によりTNPConのパッシベーション性能を改善できることを確認した。一方、適切な条件でのCat-H処理により、TNPConの接触抵抗の増大を抑制できることも明らかにした。