[18a-Z31-1~9] 17.3 層状物質

[18a-Z31-4] 有機金属気相成長法におけるIn_xSe_y薄膜の結晶相制御

〇遠藤 由大¹、関根 佳明¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：III-VI属半導体、有機金属気相成長法

In_xSe_yなどのIII-VI属半導体は、赤外～可視光域に吸収端が位置するバンドギャップエネルギーや高いキャリア移動度を有し、光電子デバイスへの応用が期待される。しかし、In_xSe_yは多様な結晶相を有し、その制御が課題である。本研究では、有機金属気相成長法によるIn_xSe_yの成長を行い、その結晶相（β-In₂Se₃、γ-In₂Se₃、InSe）をIn/Se原料供給量比により制御できることを示す。