[18a-Z31-1~9] 17.3 層状物質

[18a-Z31-5] コンビナトリアル成膜手法によって作製したMo_(1-x)W_xS₂混晶の評価

〇橋本 侑祐¹、石橋 啓次²、日比野 祐介^1,4、山﨑 浩多¹、若林 整³、小椋 厚志^1,5 (1.明治大、2.（株）コメット、3.東工大、4.学振特別研究員、5.明大MREL)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、コンビナトリアル成膜、マグネトロンスパッタ

Mo_(1-x)W_xS₂は遷移金属ダイカルコゲナイドを代表するMoS₂とWS₂の混晶半導体であり、W濃度xを変化させることで結晶構造や光学特性を変調可能である。我々はマグネトロンスパッタ法を用いて１試料面内に濃度を100%変化させるコンビナトリアル成膜を用いて、異なる濃度に対して選択的に評価を行なった。本研究では各濃度領域に対して評価を行い、Mo_(1-x)W_xS₂の膜構造や結晶性について議論した。