[18p-P01-1~3] 3.2 材料・機器光学

[18p-P01-3] GeSbTeのリアルな相変化シミュレーションモデルの開発

〇佐野 陽之¹、桑原 正史² (1.石川高専、2.産総研)

キーワード：相変化、GeSbTe、マルチフィジックスシミュレーション

光メモリや光スイッチなどの動作シミュレーションに使えるGe₂Sb₂Te₅（GST）相変化シミュレーションモデルの開発を行った。作成した相変化モデルの妥当性を確認するため、GST薄膜のレーザー光加熱による結晶化実験のマルチフィジックス・シミュレーションを行い、結晶化による反射率増加の実験データを計算によって再現することができた。また、結晶核生成確率と結晶成長速度に関する２つのモデルについて検討した。