[18p-P04-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-P04-8] 配位子交換によりエネルギー準位を制御したPbSコロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ

井原 聖矢¹、宇野 和行¹、〇田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：有機メモリトランジスタ、半導体コロイダルナノドット、配位子交換

PbSコロイダルナノドット(ND)の単粒子層をゲート絶縁層とペンタセン層の界面に形成し、それを電荷蓄積層として用いた有機メモリトランジスタでは、PbS NDのエネルギー準位を低下させてペンタセンのHOMOに近づけることにより記録時間の短縮と保持時間の延長が可能になる。今回は、配位子交換とともにNDのサイズを増大させることによって、従来よりさらに記録時間と保持時間を改善することができた。