[18p-P08-1~4] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[18p-P08-3] Crystallization of Cat-CVD Hydrogenated n-a-Si Films on Textured Glass Substrates by FLA

〇(M2)Zheng WANG¹, Tu Huynh Thi Cam¹, Ohdaira Keisuke¹ (1.JAIST)

Keywords:Crystallization

RIEで凹凸を形成したガラス基板上にCat-CVD法を用いてn-a-Si:Hを堆積した試料にFLAを行い、n-poly-Si:Hの形成を試みた。大部分の箇所ではFLA後も膜剥離を抑えることができた。また、剥離していない箇所のラマンスペクトルからc-Siのピークが見られ、n-poly-Si:Hの形成を確認した。膜剥離は、密着性向上の効果を、圧縮応力などの膜剥離を誘発する要因の影響が上回ったためと考えられ、製膜条件の調整により、全面膜剥離の無い結晶化が可能と考えている。