[18p-P08-1~4] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[18p-P08-3] 凹凸基板上に作製したCat-CVD水素化n-a-Si膜のFLAによる結晶化

〇(M2)王 崢¹、Tu Huynh Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：結晶化

RIEで凹凸を形成したガラス基板上にCat-CVD法を用いてn-a-Si:Hを堆積した試料にFLAを行い、n-poly-Si:Hの形成を試みた。大部分の箇所ではFLA後も膜剥離を抑えることができた。また、剥離していない箇所のラマンスペクトルからc-Siのピークが見られ、n-poly-Si:Hの形成を確認した。膜剥離は、密着性向上の効果を、圧縮応力などの膜剥離を誘発する要因の影響が上回ったためと考えられ、製膜条件の調整により、全面膜剥離の無い結晶化が可能と考えている。