[18p-P08-1~4] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[18p-P08-4] フラッシュランプアニールにより形成したpoly-Si膜のCat-CVD装置を用いた原子状水素処理による低欠陥化

〇柳 雄大¹、Hyunh Tu Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：水素処理

FLAにより形成したpoly-Si膜に対し、Cat-CVD装置を用いた原子状水素処理による低欠陥化を試みた。原子状水素による少数キャリア寿命の増大が見られ、水素処理の有効性が確認された。また、水素処理時の水素流量を低くするにつれ、少数キャリア寿命が向上する傾向が見られた。Cat-CVDでの水素処理においては、適切な処理条件の選定が必要であると示唆される。