[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-2] 高温アニールによる転位密度10⁷cm^-2のAlNテンプレート作製

〇三宅 秀人^1,2、正直 花奈子²、肖 世玉¹、上杉 謙次郎^3,1、窪谷 茂幸³ (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工、3.三重大地創戦略企)

キーワード：窒化物半導体、AlN、アニール

我々のグループでは、AlN 膜をRFスパッタ法により成膜(Sp-AlN)してFace-to-Face配置の高温アニール(FFA)により、簡便に低転位密度のAlN膜が作製可能であることを報告した。転位密度が1×10⁸cm^-2以下のAlNテンプレート作製は、高い内部量子効率の深紫外LED作製では非常に重要である。一度アニールを施したFFA Sp-AlNテンプレート上に、さらにスパッタ法によりAlNを成膜した上で、再びアニールを施した作製法で、貫通転位密度が4.9×10⁷ cm^-2（平面TEM観察から）のAlN膜を得た。