[18p-Z04-1~9] 特異構造の結晶科学　～学術とエレクトロニクス展開～

[18p-Z04-6] Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発

〇小出 康夫¹、劉 江偉¹、井村 将隆¹、廖 梅勇¹ (1.物質・材料研究機構)

キーワード：ダイヤモンド、ナノラミネート構造

ダイヤモンドは優れた究極の物性値から、SiCやGaN後の次々世代のパワーデバイス材料として応用が期待されている。p型ダイヤモンド表面伝導層の高濃度正孔を有効に制御するためには、より誘電率の大きなゲート絶縁膜MOS構造を開発することが望ましい。本研究では、酸化物およびIII族窒化物ナノラミネート薄膜をゲート絶縁膜として応用し、高正孔濃度チャネルを活かしたダイヤモンドFETの可能性を探索することを目的としている。