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[18p-Z04-7] GaAs及びGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの進展
キーワード:量子カスケードレーザ、窒化物半導体、MBE
GaAs及びGaN系高性能THz-QCLの開発を行った。サブバンド間遷移光利得の幾つかの制限要因を解決することにより、光利得の飛躍的な向上と室温光利得を解析から得た。GaAs系THz-QCLを作製し1W以上の高出力動作を実現した。またGaN系QCLに於いて室温光利得が得られることを明らかにし、解析に基づきGaN/AlGaN系THz-QCLを作製した。