[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18p-Z05-11] 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析

〇松谷 優汰¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大数物)

キーワード：チャージポンピング法、SiC、MOS界面

MOSFETを用いた界面評価法にチャージポンピング法がある。その応用である3レベルチャージポンピング(3L-CP)法ではゲートパルスを3値とすることで、通常の2値のCP法より界面準位に関する多くの情報が得られる。以前、SiC MOSFETではSi MOSFETでは見られない特異な3L-CP特性が確認され、界面近傍酸化膜欠陥による影響であるという報告をした。今回、界面欠陥へのキャリアの捕獲・放出についてSRH統計に基づいた数式に立ち返り、SiC MOSFETの特異な3L-CP特性の解析を試みた。