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[18p-Z05-13] 予め高温N2+H2アニールを施した4H-SiC表面へのMOS形成プロセス
キーワード:SiC MOSFET、窒素、水素
4H-SiC表面に高温のN2+H2アニールを施す際、アニールの温度・時間・水素分圧などの条件を変化させて基板表面への窒素導入率・表面ラフネスの検討を行った。作製したMOSキャパシタのCV特性では周波数分散が抑えられ、界面準位密度(Dit)は4×1011cm-2eV-1程度となったことから、酸化膜堆積前の高温N2+H2アニールによる効果的な界面パッシベーションの可能性が得られた。