[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-13] 予め高温N₂+H₂アニールを施した4H-SiC表面へのMOS形成プロセス

〇佐賀 利浩¹、喜多 浩之¹ (1.東大工)

キーワード：SiC MOSFET、窒素、水素

4H-SiC表面に高温のN2+H₂アニールを施す際、アニールの温度・時間・水素分圧などの条件を変化させて基板表面への窒素導入率・表面ラフネスの検討を行った。作製したMOSキャパシタのCV特性では周波数分散が抑えられ、界面準位密度(Dit)は4×10¹¹cm^-2eV^-1程度となったことから、酸化膜堆積前の高温N₂+H₂アニールによる効果的な界面パッシベーションの可能性が得られた。