17:15 〜 17:30
[18p-Z05-14] SiC 基板表面の熱酸化速度:酸素圧力依存性
キーワード:酸化速度、圧力依存、XPS
SiC 表面の熱酸化は、MOSFET 集積回路の絶縁体薄膜高品質化において重要であり、精力的に研究されている。今回は、初期酸化の振る舞いを詳しく調べるため、酸化剤である酸素圧力を減圧し、酸化速度の変化を、Si 面、C 面それぞれでX 線光電子分光(XPS)により測定した。両面での酸化速度の圧力依存性に顕著な特徴があったので、その結果を報告する。
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)
17:15 〜 17:30
キーワード:酸化速度、圧力依存、XPS