[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-16] 第一原理計算によるwet酸化SiC(000-1)/SiO₂界面の欠陥構造解析

〇(M1)綱崎 夢開¹、民部 優輝¹、植本 光治¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：SiC/SiO2界面、第一原理計算

4H-SiC結晶中のSi空孔に起因する欠陥として4種類の構造が提案されている。梅田らは、dry酸化ではこの4種類すべての構造が観測されるが、wet酸化では2種類しかEDMRで観測されないと報告している。本研究では、この原因を明らかにすべく、密度汎関数理論に基づく第一原理計算により4種類の界面欠陥の形成エネルギーと、C原子とSi原子の未結合手に対するH原子の振る舞いを調べた。講演では、欠陥形成の選択性について議論する。