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△ [18p-Z05-2] Sイオン注入n型SiC層のHall効果測定によるSドナーの評価
キーワード:SiC、Hall効果測定
SiC CJFETの設計にあたり、論理閾値電圧はノイズマージンを決定する重要な特性であるが、一般に温度変化に伴い、論理閾値電圧のシフトが生じる。CJFETにおける論理閾値電圧のシフトはn-JFETとp-JFETのドレイン電流が一致しなくなることに起因する。論理閾値電圧の温度変化を抑制するために、より深いドナーを用いることを提案する。Sがドナーとして深い準位を形成することが報告されているが、Hall効果測定による詳細な検討は行われていない。そこで、本研究では、SをドープしたSiCのHall効果測定を行い、電気的性質を評価したので報告する。