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△ [18p-Z05-7] NO窒化処理を施したSiO2/4H-SiC(112(_)0)界面のX線光電子分光分析
キーワード:SiC、MOSFET
熱酸化SiO2/SiC界面特性改善のため、NO雰囲気中アニール(NO-POA)が広く用いられている。NO-POAによってSiO2/SiC界面に導入される窒素の量は、アニール条件(温度や時間)と面方位に依存する。我々は以前、Si面およびC面上のNO-POA処理時間の異なるSiO2/SiC構造に傾斜エッチングを施して作製した膜厚分布を持つ試料のXPS分析を行い、SiO2/SiC界面への窒素原子の導入メカニズムを明らかにした。今回、a面上のNO窒化SiO2/SiC構造に対して同様の評価を行ったので報告する。