[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18p-Z05-7] NO窒化処理を施したSiO₂/4H-SiC(112(_)0)界面のX線光電子分光分析

〇中沼 貴澄¹、細井 卓司¹、染谷 満²、岡本 光央²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.大阪大工、2.産総研)

キーワード：SiC、MOSFET

熱酸化SiO2/SiC界面特性改善のため、NO雰囲気中アニール(NO-POA)が広く用いられている。NO-POAによってSiO2/SiC界面に導入される窒素の量は、アニール条件(温度や時間)と面方位に依存する。我々は以前、Si面およびC面上のNO-POA処理時間の異なるSiO2/SiC構造に傾斜エッチングを施して作製した膜厚分布を持つ試料のXPS分析を行い、SiO2/SiC界面への窒素原子の導入メカニズムを明らかにした。今回、a面上のNO窒化SiO2/SiC構造に対して同様の評価を行ったので報告する。