[18p-Z13-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-Z13-2] 爆轟法ナノダイヤモンド中のSiV中心を用いた温度センシング

〇内田 岳¹、藤原 正規¹、大木 出¹、鶴井 明彦²、劉 明²、西川 正浩²、水落 憲和¹ (1.京大化研、2.ダイセル)

キーワード：SiV中心、ダイヤモンド、爆轟法

ナノダイヤモンド中のケイ素-空孔複合中心(SiV)は、細胞内の局所的な温度変化を計測するためのプローブとして有望視されている。近年、我々は安価かつ大量生産が可能な合成法である爆轟法によって粒径の小さいSiV含有ナノダイヤモンド(SiV-DND)を作製することに初めて成功した。本研究では、SiV-DNDの細胞内温度プローブへの応用を目標とし、蛍光スペクトルの温度依存性を調べたので報告する。