The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[18p-Z15-1~15] 6.4 Thin films and New materials

Thu. Mar 18, 2021 1:30 PM - 5:30 PM Z15 (Z15)

Tetsuo Tsuchiya(AIST), Hiroaki Nishikawa(Kindai Univ.)

4:30 PM - 4:45 PM

[18p-Z15-12] Fabrication of CrN/NiO superlattice structures towards realizing Ni-N bonds

Daichi Sato1, Akira Ohtomo1,2, Takuto Soma1, Ryo Yokoyama1 (1.Tokyo Tech., 2.MCES.)

Keywords:Thin film, Oxide, Nitride

3d遷移金属窒化物は,いわゆるIII-V族半導体と異なり,スピン配列や電子相関に起因する興味深い物性を示す.例えば,Ⅵ族窒化物である立方晶系CrNは,高い移動度と構造相転移を伴う常磁性絶縁体-反強磁性金属転移を示すことが知られている .一方で,Niをはじめとする後周期の3d遷移金属と窒素の結合は,反結合性のp-d軌道の電子数が高いため極めて不安定である.そこで本研究では,Niを窒化することを目的として,ともに岩塩型構造をとるCrNとNiOの人工超格子構造を作製したので報告する.