[18p-Z15-1~15] 6.4 薄膜新材料

△ [18p-Z15-5] ヘテロエピタキシャル成長した CuI 単結晶薄膜における自由励起子発光

〇(M2)稲垣 宗太朗¹、中村 優男²、岡村 嘉大¹、荻野 槙子¹、高橋 陽太郎^1,2、Peng Licong²、Yu Xiuzhen²、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS、3.東京カレッジ)

キーワード：ワイドギャップ半導体、結晶性、励起子

ヨウ化銅(CuI)は優れた励起子特性を持つワイドギャップ半導体であるが、これまで単結晶薄膜の作製報告がなかった。本研究では、CuIと格子整合の良いInAs基板上にMBE法による薄膜成長を行った。その結果、バルク単結晶を超える高い結晶性と原子層レベルの表面平坦性を持つ、高品質の単結晶薄膜の作製に成功した。また、欠陥を格段に低減したことで、PLスペクトルにおいて自由励起子による非常に鋭い発光の観測にも成功した。