[18p-Z15-1~15] 6.4 薄膜新材料

△ [18p-Z15-6] 分子線エピタキシー法による新物質EuCdSb₂の作製

〇(M2)大野 瑞貴¹、打田 正輝^1,2,3、中澤 祐介¹、佐藤 慎¹、Markus Kriener⁴、三宅 厚志⁵、徳永 将史^4,5、田口 康二郎⁴、川﨑 雅司^1,4 (1.東大工院、2.東工大理、3.JSTさきがけ、4.理研CEMS、5.東大物性研)

キーワード：分子線エピタキシー法、磁気輸送特性、層状物質

層状物質群ABSb₂は、ディラック電子が多様な磁気輸送特性を示すことが知られているが、Aサイトのイオン半径が小さくBサイトのイオン半径が大きい物質は報告されていない。本研究では、イオン半径が大きいCdをBサイトに含む新物質EuCdSb₂を分子線エピタキシー法によって作製し、Pnma構造を持つことを確認した。また、面内反強磁性的秩序を示し、電気伝導度が半導体的な温度依存性を示すことを明らかにした。