[18p-Z15-1~15] 6.4 薄膜新材料

△ [18p-Z15-7] MBE法によるBa(Zn,Fe)₂As₂薄膜の作製及び物性評価

〇(M1)池上 諒¹、清澤 知正¹、畑野 敬史¹、石田 高史²、浦田 隆広¹、飯田 和昌^1,3、生田 博志¹ (1.名大院工、2.名大未来研、3.JST-CREST)

キーワード：磁性半導体

近年、 (Ba,K)(Zn,Mn)₂As₂をはじめBaZn₂As₂を母物質とする磁性半導体探索が盛んに行われているが、薄膜化に関しては母相が室温で準安定、ZnやAsの蒸気圧が高い等といった理由から作製が難しく、報告例は少ない。そこで本研究では、この系のMBE法による単相薄膜作製に取り組んだ。さらに磁性元素としてFeを部分置換することで電子キャリアが導入されること等を見出したので報告する。