[18p-Z20-1~12] 12.5 Organic solar cells

[18p-Z20-1] Influence of precursor gas during n-type amorphous Si deposition on MAPbI₃

〇Zhancheng Song¹, Yuuka Sumai², Shoko Fukaya², Thi Cam Tu Huynh¹, Shahiduzzaman Md.², Tetsuya Taima², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Kanazawa Univ.)

Keywords:Perovskite solar cells, Cat-CVD, Amorphous silicon

ペロブスカイト太陽電池の電子輸送層への使用を目的に、MAPbI₃上へのCat-CVDでのn-a-Si堆積時の原料ガスの影響を調査した。触媒体を1800 °Cに加熱し、H₂のみ、PH₃のみ、SiH₄のみを流入させた。PH₃およびH₂流入時は、触媒分解で生成した水素ラジカルがMAPbI₃と反応し、一部がPbI₂に変性した。SiH₄のみで処理を行った試料では、MAPbI₃の上にa-Si膜が堆積されるため、水素ラジカルとの反応を抑えられることを確認した。