[18p-Z20-1~12] 12.5 有機太陽電池

[18p-Z20-5] Ag・In系ダブルペロブスカイト半導体の作製と高圧下の光物性Ⅱ

〇目黒 悠介¹、松石 清人¹ (1.筑波大数物)

キーワード：ペロブスカイト、半導体、高圧

ダブルペロブスカイトは環境負荷が少なく、空気中で安定であるため光学デバイスに応用できることが期待されているが、基礎物性がまだ明らかになっていない。本研究では、AgとInを有すダブルペロブスカイト半導体(Cs₂AgInCl₆)に注目している。ブロードで白色の発光の起源を特定するため、4 Kから室温までのバンドギャップ変化、発光ピークの変化を調べた。また、高圧力を印加し、ラマン散乱測定を行い、圧力下での構造の変化を調べた。