[18p-Z23-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[18p-Z23-12] InP nanowire light-emitting diodes: different junction geometry and their diode properties

〇(B)Shun Kimura^1,2, Yu Katsumi^1,2, Hironori Gamo^1,2, Junichi Motohisa³, Tomioka Katsuhiro³ (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE, 3.IST)

Keywords:nanowire, InP, light-emitting diode

発光素子分野の課題は、緑色~黄色波長帯で高効率発光する材料がないことである。我々はウルツ鉱型結晶構造InPナノワイヤをテンプレートとして、MOVPE選択成長法の横方向成長を応用し、ウルツ鉱型AlInP成長と緑色~黄色波長帯発光ダイオード(light emitting diode; LED)について検討してきた。本研究では、テンプレートとなるInP NWのLED構造最適化のため、異なる接合構造を有したInP NW LEDの素子特性について報告する。