[18p-Z23-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[18p-Z23-12] InPナノワイヤの接合構造と発光ダイオード特性の関係

〇(B)木村 峻^1,2、勝見 悠^1,2、蒲生 浩憲^1,2、本久 順一³、冨岡 克広³ (1.北大工、2.量集センター、3.情報科学研究院)

キーワード：ナノワイヤ、InP、発光ダイオード

発光素子分野の課題は、緑色~黄色波長帯で高効率発光する材料がないことである。我々はウルツ鉱型結晶構造InPナノワイヤをテンプレートとして、MOVPE選択成長法の横方向成長を応用し、ウルツ鉱型AlInP成長と緑色~黄色波長帯発光ダイオード(light emitting diode; LED)について検討してきた。本研究では、テンプレートとなるInP NWのLED構造最適化のため、異なる接合構造を有したInP NW LEDの素子特性について報告する。