[18p-Z23-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[18p-Z23-16] シラン化プロセスの導入と逆ミセルサイズの調整によるシリカコートPbS QDの単分散性の向上

〇池田 航介¹、八田 伶音²、向井 剛輝^1,2 (1.横国大院理工、2.横国大理工)

キーワード：量子ドット

高度情報化社会の発展に伴い、電子や光子を用いた量子情報処理技術が注目されている。そのデバイスに用いられる有望な材料の一つが量子ドット(QD)である。シリカコートしたQDをナノホールにトラップすることでQDの位置制御を行う技術が実現されている。本研究では、QDのシラン化プロセスの導入と、シリカコート反応に用いる逆ミセルサイズの調整を行うことで、シリカコートQDの単分散性を向上させたことを報告する。