[18p-Z23-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [18p-Z23-9] Electroluminescence characteristics in MQS nanowire-based LEDs

〇Sae Katsuro¹, Weifang Lu¹, Kazuma Ito¹, Nanami Nakayama¹, Naoki Sone³, Renji Okuda¹, Yoshiya Miyamoto¹, Yukimi Jinno¹, Shiori Yamamura¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki² (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ., 3.Koito Manufacturing CO)

Keywords:nanowire, GaInN/GaN multiple-quantum shells, nanowire LED

我々の研究グループは、六角柱状の3次元結晶であるコアシェル型GaNナノワイヤ(NW)の研究を行っており、量子殻LEDは、NW上部のc面に多く発生する結晶欠陥起因と考えられる発光効率の悪い赤色発光が観察されていた。c面の結晶欠陥は、p-GaN殻の形状に影響を受けるため、p-GaN殻成長時のTMG流量を変化させ、形状が異なるp-GaN殻を用いたデバイス作製を行い、光学特性の比較検討を行った。