[18p-Z24-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[18p-Z24-2] Strain evaluation of As ion implanted Si using Raman spectroscopy

〇Masato Koharada¹, Yuta Satake¹, Ryo Yokogawa^1,2, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.Meiji Renewable Energy Lab.)

Keywords:Raman spectroscopy

Siより原子半径の大きいAsをイオン注入した際の歪印加メカニズムは、BやPなどのドーパントと比べて報告例が少なく、不明瞭な点が多い。イオン注入後にアニール処理を施した試料は、結晶回復が為されるためSiのラマンスペクトルとイオンドーズの関係を見出すことは容易ではなくなる。そこで本研究では、高い波数分解能を有するラマン分光器を用いて、アニール後のSi基板に対する不純物イオンのドーズ依存性の評価を試みた。