[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-2] ラマン分光法によるAsイオン注入Siの歪評価

〇小原田 賢聖¹、佐竹 雄太¹、横川 凌^1,2、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：ラマン分光法

Siより原子半径の大きいAsをイオン注入した際の歪印加メカニズムは、BやPなどのドーパントと比べて報告例が少なく、不明瞭な点が多い。イオン注入後にアニール処理を施した試料は、結晶回復が為されるためSiのラマンスペクトルとイオンドーズの関係を見出すことは容易ではなくなる。そこで本研究では、高い波数分解能を有するラマン分光器を用いて、アニール後のSi基板に対する不純物イオンのドーズ依存性の評価を試みた。