2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

[18p-Z27-1~14] 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用

2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:15 Z27 (Z27)

寺井 弘高(情通機構)、山梨 裕希(横国大)

15:00 〜 15:15

[18p-Z27-7] 中性粒子ビームプロセスによるNb表面酸化膜制御とQ値に与える影響

〇(M1)紺野 太壱1、大堀 大介1、日高 睦夫3、遠藤 和彦3、向井 寛人4、蔡 兆申4,5、寒川 誠二1,2,3 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大、5.理研CEMS)

キーワード:量子ビット、超伝導、ニオブ

超伝導量子コンピュータの情報を扱うのに超伝導共振器がある。超伝導材料の中でもNbは化学的、機械的に安定であるという利点がある。Nbを用いて超伝導共振器を作製するとき、Q値を上げるためには表面酸化膜のサブオキサイドの抑制が重要であることがわかった。本研究ではエッチング後のNb表面を中性粒子ビーム酸化することでNb表面酸化が促進されることが分かった。