[18p-Z29-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[18p-Z29-1] Investigation of electrical characteristics of triple points in multicrystalline silicon via 3D carrier simulation

〇(M2)Kazuki Mitamura¹, Kentaro Kutsukake², Takuto Kojima³, Noritaka Usami¹ (1.Eng., Nagoya Univ., 2.AIP, RIKEN, 3.Inf., Nagoya Univ.)

Keywords:triple point, carrier simulation, multicrystalline silicon

我々は、任意の形状に適用できる三次元キャリアシミュレーションを自作し、実験から得られたフォトルミネッセンスイメージング像と比較することで、多結晶Siの三重点近傍の電気的特性を調査した。シミュレーションにおいて、三重点近傍の線状キャリア再結合を考慮することで、実験結果と定性的に一致した。このことから、三重点近傍に周囲の電気的に活性な粒界よりも再結合速度の大きな再結合中心が存在することが示唆された。