[18p-Z29-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[18p-Z29-7] Siヘテロ接合太陽電池モジュールの電圧誘起劣化への事前アニーリングの影響

〇徐 佳明¹、増田 淳²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.新潟大)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、電圧誘起劣化

Siヘテロ接合太陽電池モジュールのPIDに対する、事前アニーリングの影響を調査した。事前アニーリングなしモジュールは、PID試験時間にともにJ_scが低下するが、110 °Cで事前アニーリングのは劣化されなかった。一方、85 °Cで事前アニーリングを行ったモジュールでは、事前アニーリングなしのモジュールと同様なJ_scの低下が見られた。これらの結果は、高温での事前アニーリングがモジュール内の水分を除去し、PIDが抑止されることを示唆する。