[18p-Z31-1~19] 17.3 層状物質

△ [18p-Z31-10] 多層MoS_2(1-x)Te_2x混晶における物理構造と電子構造の関連に関する考察

〇日比野 祐介^1,2、山崎 浩多¹、橋本 侑祐¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整⁴、小椋 厚志^1,5 (1.明治大、2.学振特別研究員、3.気相成長株式会社、4.東工大、5.明大MREL)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、混晶、電子構造

近年，層状物質は多岐にわたる領域において応用が検討されている．特に遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は半導体材料として期待されている．そのTMDを利用した混晶はTMDの応用の幅を広げることが期待され，盛んに研究されている．一方で混晶，特に多層の物性に関しては未だ不明瞭な領域が多い．本発表ではMoS₂とMoTe₂の混晶であるMoS_2(1-x)Te_2xを作製し，その評価を進めてきた中で明らかになってきた物理構造と電子構造の相関について報告する．