[18p-Z31-1~19] 17.3 Layered materials

[18p-Z31-14] Study on Radiation Damage of 2D MoS₂ Film by XPS Time-Dependent Measurement

〇Masahiro Matsuzawa^1,2, Satoshi Igarashi³, Daisuke Kobayashi², Hitoshi Wakabayashi³, Kazuyuki Hirose^1,2 (1.Univ. Tokyo, 2.ISAS/JAXA, 3.Tokyo Tech)

Keywords:molybdenum disulfide, XPS, radiation damage

二次元MoS₂層を利用したFETの放射線損傷を宇宙応用に向けて評価した．SiO₂膜上にスパッタで成膜しその後硫化処理を施した2種類の3nm-MoS₂薄膜に対しXPS時間依存測定を行い，X線照射による電荷捕獲と結晶相転移を評価した．その結果，スパッタ条件と硫化処理の条件によって，MoS₂膜中トラップの種類が電子捕獲あるいは正孔捕獲になることや，結晶相転移が起きることを明らかにした．