[18p-Z31-1~19] 17.3 層状物質

△ [18p-Z31-2] Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の二次元磁気特性

〇真島 裕貴¹、Saika Bruno Kenichi¹、松岡 秀樹^1,2、中野 匡規^1,2、吉田 訓¹、石坂 香子^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：二次元物質、遷移金属カルコゲナイド、分子線エピタキシー法

磁性イオンがインターカレートされた遷移金属カルコゲナイドは、その磁性イオンの種類や濃度に応じた様々な磁気秩序相が形成される事が知られている。しかしそれらは機械的な剥離が困難であるため、2次元極限における磁気特性は未解明である。そこで本研究では分子線エピタキシー法を用いる事により、Cr_1/3NbSe₂超薄膜の作製に成功し、Cr単原子層を有する薄膜試料が強磁性転移する事を見出した。発表ではその詳細な磁気特性について紹介する。