[18p-Z31-1~19] 17.3 層状物質

[18p-Z31-7] 単層WTe₂の電気伝導における強誘電的ヒステリシス

〇渡邉 瑛介¹、増渕 覚¹、張 奕勁¹、岡崎 尚太²、笹川 崇男²、渡邊 賢司³、谷口 尚^1,3、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.東工大フロンティア研、3.物材機構、4.CREST-JST)

キーワード：WTe2、ファンデルワールスヘテロ接合、二次元物質

層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の一種であるWTe₂は、他のTMDと比較して対称性の低い特異な結晶構造を有する。2-5層WTe₂においてキャリア濃度または面直電界を変化させると、層のスライドによるT_d-1T’構造間の相転移および自発分極の変化が生じ、電気伝導に強誘電的なヒステリシスが出現することが知られている。本研究では、層のスライドが生じえない単層WTe₂において強誘電的なヒステリシス効果を観測した。