[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-15] 選択成長を用いた(001) κ-Ga₂O₃ の面内配向制御

〇大島 祐一¹、河原 克明²、大島 孝仁²、四戸 孝² (1.物材機構、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、選択横方向成長

通常、サファイア基板等の上に成長させた κ-Ga₂O₃は、c面内で120^oずつ回転した3種類のナノドメインから構成される。そのような κ-Ga₂O₃膜に、ストライプマスクを用いた選択横方向成長を適用した。ストライプを適切な方向に設定することで、幾何学的淘汰機構によって3種類の面内回転ドメインを1種類に収束させることができた。