The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 1:00 PM - 6:00 PM Z33 (Z33)

Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

5:45 PM - 6:00 PM

[18p-Z33-17] Nearly Ideal Thermionic Emission and Thermionic Field Emission in α-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Grown on Sapphire Substrate by Mist-CVD

Takuya Maeda1, Mitsuru Okigawa2, Yuji Kato2, Isao Takahashi2, Takashi Shinohe2 (1.Kyoto Univ., 2.FLOSFIA Inc.)

Keywords:Gallium Oxide, Schottky Junction, Thermionic Emission

近年,酸化ガリウム(Ga2O3)は次世代パワーデバイス材料として大きな注目を集めている.特に,5種(α, β, γ, δ, ε)の結晶多形の中で最安定相であるβ-Ga2O3については,高品質バルク基板が成長可能であり不純物制御も比較的容易であることから研究が進展している.一方で,準安定相であるα-Ga2O3は,5.4 eV程度の極めて広いバンドギャップを有しており,また,サファイア基板上にMist-CVD法により安価に成長可能であることから,同様に注目を集めている.本研究では,Ti/α-Ga2O3 SBDの基礎的な電気的特性を298-423 Kの範囲で調べたので報告する.