[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-17] サファイア基板上Mist-CVD成長α-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードにおけるほぼ理想的な熱電子放出および熱電子電界放出特性

〇前田 拓也¹、沖川 満²、加藤 勇次²、高橋 勲²、四戸 孝² (1.京大院工、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキー接合、熱電子放出

近年，酸化ガリウム(Ga₂O₃)は次世代パワーデバイス材料として大きな注目を集めている．特に，5種(α, β, γ, δ, ε)の結晶多形の中で最安定相であるβ-Ga₂O₃については，高品質バルク基板が成長可能であり不純物制御も比較的容易であることから研究が進展している．一方で，準安定相であるα-Ga₂O₃は，5.4 eV程度の極めて広いバンドギャップを有しており，また，サファイア基板上にMist-CVD法により安価に成長可能であることから，同様に注目を集めている．本研究では，Ti/α-Ga₂O₃ SBDの基礎的な電気的特性を298-423 Kの範囲で調べたので報告する．