[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-6] Electrical and optical properties of MgZnO transparent electrode materials deposited by high temperature sputtering

〇(M1)Taichi Matsubara¹, Maki Kushimoto¹, Hirotaka Watanabe², Yuta Furusawa², Syugo Nitta², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.VBL, 4.IAR, 5.Akasaki RC)

Keywords:UV-LED, Transparent electrode, Sputtering

AlGaN系深紫外線発光ダイオードは，光取り出し効率(LEE)が非常に低いため高出力化が困難である．LEEの改善には，透明電極が有用であるが従来のITOは紫外光に対して不透明である．そこで，深紫外光が透過可能な酸化物材料MgZnOに着目した．
本報告では，低い抵抗値を維持したまま，MgZnOの深紫外領域における透過率向上を目的とし，成膜時の基板温度について検討を行った．