The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Mar 18, 2021 1:00 PM - 6:00 PM Z33 (Z33)

Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Keisuke Ide(Tokyo Tech), Kohei SHIMA(Tohoku Univ.)

3:15 PM - 3:30 PM

[18p-Z33-8] Characterization of piezoelectric property in Mg0.6Zn0.4O/ZnO pressure sensors by the resonance-antiresonance method

Haruyuki Endo1, Takayuki Nihei1, Kazunori Suzuki1, Akira Barajima1, Yasube Kashiwaba2 (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:MgZnO, pressure sensor, piezoelectric characteristics

我々は高温環境下での高速圧力計測用途を目指しZnO基板を使用した圧電型圧力センサ開発を進めてきた。一般に圧電素子には高い素子抵抗が必要なため高抵抗基板を使用するが、高温での抵抗率ばらつきが大きく素子抵抗を安定的に高抵抗化する技術が必要となった。そこでZnO基板へ高抵抗MgxZn1-xO薄膜を積層することで高抵抗化と圧電特性の改善を目指し、共振・反共振法により圧電特性を評価したので報告する。