[19a-P03-1~11] 1.2 Education

[19a-P03-8] Development of Schottky barrier diode using Gallium Alloy

〇Takanori Hagiwara¹, Shunya Uchida¹, Atsushi Utsumi¹ (1.NIT, Maizuru)

Keywords:diode, gallium alloy

我々は製造装置を必要とせず，かつ短時間で作製可能な半導体デバイスの実現のために，ガリウム合金を用いたショットキーバリヤダイオードの開発に取り組んでいる．シリコンに対するガリウム合金のぬれ性改善のために超音波による微粒子化を行っていたが，電極の形成において，その形状や膜厚の均一化が困難であった．今回は微粒子化を行うことなく，金属マスクを基板に被せスキージで電極の塗布を行ったので，その結果を報告する．