[19a-P05-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[19a-P05-5] ナノピラー構造を組み込んだ Er:O 共添加 Si ダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測

〇古瀬 遼¹、藤本 宇郁¹、魏 啓楠¹、アブデルガファ 愛満¹、矢野 真麻¹、千葉 悠貴¹、Enrico Prati²、Michele Celebrano³、佐藤 真一郎⁴、品田 高宏⁵、谷井 孝至¹ (1.早大理工、2.イタリアCNR、3.ミラノ工科大学、4.量研、5.東北大 CIES)

キーワード：希土類元素、発光デバイス、微細加工

シリコン(Si)中エルビウム(Er)は光通信の最低伝送損失波⻑である1.5 μm帯の光子を放出し、既存のCMOSデバイスと優れた互換性を持つことから、量子暗号通信 に必要不可欠な単一光子源として注目されている。しかし、Erの蛍光強度が低いことが課題となる。私たちはSi中Erの発光特性に関する基礎研究を行ってきており、SOI基板上にナノピラー構造を形成することで、ナノピラー中のErからのフォトルミネッセンス(PL)強度が増大することを見出した。本研究では、ナノピラー構造を組み込んだSiダイオードを作製し、その電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス(EL)を室温で観測した。